Modulo fotografico valanghe InGaAs APD
La famiglia di moduli fotodiodo InGaAs Avalanche utilizza un'elevata linearità,bassa corrente oscura, alta reattività. elevato fattore di moltiplicazione Chip APD InGaAs.
☆ Intervallo di lunghezze d'onda: da 1000 nm a 1650 nm
☆ Rilevamento della dimensione dell'area: 30um
☆ Fattore di moltiplicazione: tipo M>60
☆ Sia il pacchetto coassiale che il pacchetto a farfalla a 8 pin
Applicazione
☆ OTDR (riflettometro ottico nel dominio del tempo)
☆ Strumenti ottici
